发明功率MOS管介绍如下：

一、双极型三极管受电流驱动，由于增益(集电极和基极电流之比)随集电极电流(IC)的增进而大幅度低落，我们要驱动的电流越大，则我们需要提供给基极的电流也越大。一个成果使双极型三极管最先耗损大量的控制功率，从而降低了整个电路的效率。

二：当把双极型三极管按照比例进步到功率Application的时辰，它显露出一些恼人的范围性。你如故可以在洗衣机，空调机和电冰箱中找到它们的踪影，可是，对我们这些可以或许忍受必然程度的家用电器低效能的一样平常斲丧者来说，这些Application都是低功率Application。在一些UPS、电机节制或焊接呆板人中依旧回收双极型三极管，然则，它们的用途事实上被限定到小于10KHz的Application，并且在团体遵从成为关键参数的技能前沿Application中，它们正加速退出。半导作为双极型器件，三极管依赖于被注入到基极的少数载流子来“击败”(电子和空穴)复归并被再次注入集电极。为了维持大的集电极电流，我们要从发射极一侧把电流注入基极，假如也许的话，在基极/集电极的边界规复全部的电流(意味着在基极的复合要保持为最小)。
      

四、想要三极管打开的时间，在基极中存在复合因子低的大量少数载流子，开关在闭合之前要对它们举办处理赏罚，换言之，与所有少数载流子器件相干的存储电荷问题限制了最大事变速率。FET的首要上风今朝带来了一线曙光：作为大都载流子器件，不存在已存储的少数电荷问题，因此，其工作频率要高得多。MOSFET的开关耽误特征完善是由于寄生电容的充电和放电。

五、可能会说：在高频Application中需要开关速度快的MOSFET，但是，在我的速度相对较低的电路中，为什么要采用这种器件？谜底是刀切斧砍的：改进效率。该器件在开关状况的连续时距离断时代，既具有大电流，又具有高电压；由于器件的工作速度更快，以是，所消耗的能量就较少。在许多Application中，仅仅这个优势就足以补偿较高电压MOSFET存在的导通损耗稍高的问题，例如，假如不用它的话，频率为150KHz以上的开关模式电源(SMPS)基础就无法实现。
      

六、使事情更糟糕的是：这种弱点在工作温度更高的情形下会加重。别的一个成就是需要能够快速泵出和接收电流的相当伟大的基极驱动电路。比拟之下，(MOS)FET这种器件在栅极事实上消耗的电流为零；乃至在125°C的规范栅极电流都小于100nA。一旦寄生电容被充电，由驱动电路提供的泄泄电流就很是低。此外，用电压驱动比用电流驱动的电路简单，这正是(MOS)FET为什么对计划工程师云云有吸引力的别的一个缘故起因。

七、要留意MOSFET，除了design保险的对称电路和均衡栅极之外，它们不需要其它办法就可以被并联起来，因此，它们划一地打开，让所有的三极管中流过沟通巨细的电流。此外，长处还在于如果栅极没有得到均衡，并且沟道打开的程度不一样，这仍然会导致稳态前提下存在必然的漏极电流，并且比其它的要稍大。

八、对design工程师有吸引力的一个有用成果是MOSFET具有奇特的机关：在源极和漏极之间存在“寄生”体二极管。尽量它没有对快速开关或低导通损耗进行最优化，在电感负载开关Application中，它不需要增加稀奇的成本就起到了箝位二极管的作用。

一方面，跟着温度的升高，RDS(on)增添的劣势可以被感察觉到，由于载子移动性在25°C和125°C之间降低，这个紧张的参数大提纲翻番。再一方面，这统一个征象带来了巨大的优势：任何试图像上述那样产生作用的缺陷事实上城市从它分流—我们将看到的是“冷却点”而不是对双极器件的 “热门”特性！这种自冷却机制的平等重要的结果是便于并联MOSFET以提升某种器件的电流机能。

另一方面，其重要甜头是不存在二次破坏机制。若是实验用双极型三极管来壅闭大量的功率，在任何半导体构造中的不成避免的本地缺陷将扮演聚积电流的感化，后果将局部加热硅片。由于电阻的温度系数是负的，本地缺陷将起到低阻电流路径的作用，导致流入它的电流更多，自身发烧越来越多，终极呈现不成逆转的破损。比拟之下，MOSFET具有正的电阻热系数。

九、双极型三极管对付并联极端敏感，要采纳提防办法以等分电流(发射极不乱电阻、快速相应电流感到反馈环路)，否则，具有最低饱和电压的器件会转移大部分的电流，从而泛起上述的过热并最终导致短路。

文章来源于：深圳市鸿迈电子有限公司